消息称三星调整存储业务战略：聚焦 DRAM 盈利，暂缓 HBM 扩张

据韩国媒体 DealSite 报道，三星计划扩大其第五代（1b 节点，10 纳米级）DRAM 的量产规模，包括将部分老旧制程产线（如 1z 节点）转用于先进 DRAM 生产，并考虑将部分原用于 NAND 闪存的产能调配至 DRAM 领域，以最大化利用现有资源。 据IT之家了解，作为新战略的一部分，三星存储部门的领导层变动也在进行中。 他以出色的价格谈判技巧著称，有望助力公司在蓬勃发展的 DRAM 市场实现利润最大化。