北大团队实现二维硒化铟半导体晶圆制备突破，关键参数优于英特尔 3 纳米节点

据介绍，该材料展现出优异的电学性能，在晶体管阵列中实现了极高的迁移率与接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅，并在超短沟道（10 nm 以下）器件中，其关键参数 — 包括工作电压、栅极长度、漏致势垒降低（DIBL）、电子有效质量、开 / 关比和室温弹道率等，全面优于目前最先进的英特尔 3 纳米节点技术。 然而，受限于其本征物理属性（如相对较大的电子有效质量、较低的热速度）以及可控制备技术难题，当前主流二维材料晶圆在大规模集成器件中的表现尚难匹敌先进硅基器件。 基于该策略制得的 InSe 晶圆晶体管阵列性能超越目前已报道的所有二维薄膜电子器件，包括极高的迁移率（平均值达 287 cm²/V s）和接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅（平均值低至 67 mV / Dec）。