1纳米争夺战打响 三星计划2030年量产1纳米工艺

据TrendForce报道，三星正在加大对先进半导体技术的投入，目标2030年之前完成1nm制程节点的开发工作，2030年实现量产，抢占下一代制程技术代工市场的主导权。 在1nm制程节点上，三星预计将采用新的晶体管架构，引入“Forksheet”叉片晶体管结构。 三星从3nm制程节点引入的GAA（Gate-All-Around）晶体管结构，将电流路径从原有的三个面扩展到四个面，最大限度地提高了功耗效率，而Forksheet则是在这基础上的演进，利用叉形片层技术在晶体管之间加入绝缘墙，从而缩小了晶体管之间的间距。